AON7262E
AOS(Alpha & Omega Semiconductor)
DFN-8(3x3)
¥1.6
3,127
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):60 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):21A(Ta),34A(Tc),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
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AON7262E
AOS
DFN-8(3x3)

500+:¥1.68

100+:¥2.01

30+:¥2.14

10+:¥2.28

1+:¥2.55

912

-
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AON7262E
AOS(美国万代)
DFN8_3X3MM_EP

500+:¥2.369

100+:¥2.438

10+:¥2.783

1+:¥2.898

1969

-
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AON7262E
AOS
DFN3x3-8L

5000+:¥1.6

1+:¥1.68

62

2年内
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AON7262E
AOS(美国万代)
DFN-8-EP(3x3)

5000+:¥1.664

1+:¥1.7472

60

2年内
1-2工作日发货
AON7262E
AOS
DFN-8(3.3x3.3)

50000+:¥1.76

10000+:¥1.9

5000+:¥2.0

1000+:¥2.8

300+:¥4.0

10+:¥6.51

62

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 21A(Ta),34A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 6.2 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 45 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1650 pF @ 30 V
功率耗散(最大值) 5W(Ta),43W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 8-PowerVDFN