AON6324
AOS(Alpha & Omega Semiconductor)
DFN-8(5.6x5.2)
¥1.7
1,465
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):30 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):85A(Tc),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
厂家型号
厂牌
封装
价格(含税)
库存
批次
交期
渠道
AON6324
AOS
DFN-8(5.6x5.2)

1000+:¥1.7

500+:¥1.81

100+:¥2.01

30+:¥2.35

10+:¥2.7

1+:¥3.39

1451

-
立即发货
AON6324
Alpha & Omega Semiconductor
DFN-5

15000+:¥1.77

9000+:¥1.8

5000+:¥1.845

2000+:¥1.875

3000

-
5-7工作日
AON6324
AOS
DFN5X6

3000+:¥1.86

1+:¥1.95

5

20+
立即发货
AON6324
AOS(美国万代)
DFN-8

3000+:¥1.9344

1+:¥2.028

4

20+
1-2工作日发货
AON6324
AOS(美国万代)
DFN-8

3000+:¥1.9344

1500+:¥2.028

750+:¥2.1632

100+:¥2.4232

1+:¥3.016

5

--
1-3工作日
AON6324
AOS
DFN-8(5.6x5.2)

30000+:¥2.046

6000+:¥2.2088

3000+:¥2.325

800+:¥3.255

200+:¥4.65

10+:¥7.5679

5

-

价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 85A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 2.1 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 28 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 2719 pF @ 15 V
功率耗散(最大值) 83W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 8-PowerVDFN