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AON6262E
AOS(Alpha & Omega Semiconductor)
PDFN-8(5.2x5.6)
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：40A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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交期
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渠道
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AON6262E
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AOS(美国万代)
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DFN8_5X6MM
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1000+:￥1.35 500+:￥1.42 30+:￥1.75 10+:￥1.95 1+:￥2.3 |
1000 |
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华秋商城
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AON6262E
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AOS
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DFN5x6-8L EP1
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3000+:￥1.4 1+:￥1.47 |
2329 |
2年内
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圣禾堂
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AOS(美国万代)
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PDFN-8(5.2x5.6)
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3000+:￥1.456 1+:￥1.5288 |
2322 |
2年内
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硬之城
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AOS
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PDFN-8(5.2x5.6)
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1000+:￥1.49 500+:￥1.59 100+:￥1.85 30+:￥2.22 10+:￥2.51 1+:￥3.19 |
1104 |
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立创商城
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AON6262E
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AOS(美国万代)
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PDFN-8(5.2x5.6)
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3000+:￥1.52503 1000+:￥1.55335 500+:￥1.58167 100+:￥1.60857 10+:￥1.6284 |
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24+
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现货
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硬之城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 40A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 6.2 毫欧 @ 20A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 45 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1650 pF @ 30 V |
| 功率耗散（最大值） | 48W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-PowerSMD，扁平引线 |