AON6250
AOS(Alpha & Omega Semiconductor)
PDFN-8(5.8x4.9)
¥3.952
6,754
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):150 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13.5A(Ta),52A(Tc),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V,10V
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AON6250
AOS
DFN(5x6)

500+:¥4.05

100+:¥5.03

20+:¥5.74

1+:¥6.52

3200

22+
AON6250
AOS
PDFN-8(5.8x4.9)

1000+:¥4.07

500+:¥4.24

100+:¥5.12

30+:¥5.94

10+:¥6.67

1+:¥8.01

3406

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AON6250
AOS
DFN5x6-8L EP1

3000+:¥3.8

1+:¥3.96

51

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AON6250
AOS(美国万代)
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1+:¥4.1184

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AON6250
AOS
PDFN-8(5.8x4.9)

30000+:¥4.18

6000+:¥4.5125

3000+:¥4.75

800+:¥6.65

200+:¥9.5

10+:¥15.4613

51

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 13.5A(Ta),52A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 6V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 16.5 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 3.4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 43 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 2388 pF @ 75 V
功率耗散(最大值) 7.4W(Ta),104W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 8-PowerSMD,扁平引线