AOD66923
AOS(Alpha & Omega Semiconductor)
TO-252
¥1.872
29,893
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):100 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):16.5A(Ta),58A(Tc),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
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封装
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AOD66923
AOS
TO-252

2500+:¥1.8

1+:¥1.89

1201

2年内
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AOD66923
AOS(美国万代)
TO-252-3

2500+:¥1.872

1+:¥1.9656

1197

2年内
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AOS
TO-252

500+:¥1.97

100+:¥2.31

20+:¥2.98

1+:¥3.77

1325

22+/23+
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AOS
TO-252-2

25000+:¥1.98

5000+:¥2.1375

2500+:¥2.25

800+:¥3.15

200+:¥4.5

10+:¥7.3238

1201

-
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AOS
TO-252

1000+:¥1.99

500+:¥2.11

100+:¥2.43

30+:¥2.8

10+:¥3.17

1+:¥3.91

24969

-
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AOS(美国万代)
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100+:¥2.387

20+:¥3.113

1201

-
3天-15天
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AOS(美国万代)
TO-252-3

2500+:¥1.872

1250+:¥1.9656

100+:¥2.2568

1+:¥2.9432

1701

--
1-3工作日

价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 16.5A(Ta),58A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 11 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.6V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 35 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1725 pF @ 50 V
功率耗散(最大值) 6.2W(Ta),73W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63