AOD603-HXY
华轩阳
TO-252-4L
¥0.8915
1,026
场效应管(MOSFET)
数量:1个N沟道+1个P沟道,漏源电压(Vdss):60V,连续漏极电流(Id):20A;15A,导通电阻(RDS(on)):86mΩ@10V,15A
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AOD603-HXY
HXY MOSFET(华轩阳电子)
TO-252-4L

1000+:¥0.8915

500+:¥1.096

100+:¥1.1861

30+:¥1.3887

10+:¥1.551

1+:¥1.9297

1026

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
数量 1个N沟道+1个P沟道
漏源电压(Vdss) 60V
连续漏极电流(Id) 20A;15A
导通电阻(RDS(on)) 86mΩ@10V,15A