AOD4185
华轩阳
TO-252-2L
¥0.58
6,792
场效应管(MOSFET)
数量:1个P沟道,漏源电压(Vdss):40V,连续漏极电流(Id):40A,导通电阻(RDS(on)):19mΩ@10V
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AOD4185
HXY MOSFET(华轩阳电子)
TO-252-2L

2500+:¥0.58

1+:¥0.626

2240

24+
立即发货
AOD4185
Huaxuanyang(华轩阳)
TO-252-2L

2500+:¥0.6032

1+:¥0.65104

2232

24+
1-2工作日发货
AOD4185
HXY(华轩阳)
TO252-2L

1250+:¥0.6886

100+:¥0.8129

50+:¥1.0582

2240

-
3天-15天
AOD4185
HXY MOSFET(华轩阳电子)
TO-252-2L

5000+:¥0.8105

2500+:¥0.8514

500+:¥1.1178

150+:¥1.2706

50+:¥1.393

5+:¥1.6788

80

-
立即发货
AOD4185
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
TO-252-2L

2500+:¥0.6108

300+:¥0.6291

100+:¥0.6535

30+:¥0.7879

10+:¥0.9528

1+:¥1.1605

4215

23+
1工作日
AOD4185
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
TO-252-2L

7500+:¥0.6376

5000+:¥0.6542

2500+:¥0.6653

720000

24+
5-7工作日
AOD4185
HXY MOSFET(华轩阳电子)
TO-252-2L

50000+:¥0.6485

37500+:¥0.6541

2500+:¥0.6563

1250+:¥0.7101

100+:¥0.8378

1+:¥1.0898

4785

25+
2-5工作日

价格趋势
规格参数
属性 属性值
数量 1个P沟道
漏源电压(Vdss) 40V
连续漏极电流(Id) 40A
导通电阻(RDS(on)) 19mΩ@10V