AOD4185
AOS(Alpha & Omega Semiconductor)
TO-252(DPAK)
¥1.1
219,995
场效应管(MOSFET)
FET 类型:P 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):40 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):40A(Tc),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
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AOD4185
AOS
TO252

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AOS(美国万代)
TO-252(DPAK)

2500+:¥1.144

1+:¥1.2064

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AOD4185
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TO-252

2500+:¥1.1495

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30+:¥1.8183

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AOS
TO-252(DPAK)

1000+:¥1.19

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10+:¥2.04

1+:¥2.55

12631

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AOD4185
AOS
TO-252-3

25000+:¥1.21

5000+:¥1.3063

2500+:¥1.375

800+:¥1.925

200+:¥2.75

10+:¥4.4756

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 40A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 15 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 55 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 2550 pF @ 20 V
功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),62.5W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63