AOD413A
华轩阳
TO-252-2L
¥0.412
15,681
场效应管(MOSFET)
数量:1个P沟道,漏源电压(Vdss):40V,连续漏极电流(Id):25A,导通电阻(RDS(on)):31mΩ@10V,8A
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价格(含税)
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渠道
AOD413A
HXY MOSFET(华轩阳电子)
TO-252-2L

2500+:¥0.412

1+:¥0.449

1878

24+
立即发货
AOD413A
Huaxuanyang(华轩阳)
TO-252-2L

2500+:¥0.42848

1+:¥0.46696

1870

24+
1-2工作日发货
AOD413A
HXY MOSFET(华轩阳电子)
TO-252-2L

5000+:¥0.5003

2500+:¥0.5267

500+:¥0.6076

150+:¥0.7067

50+:¥0.786

5+:¥0.9714

10085

-
立即发货
AOD413A
HXY(华轩阳)
TO252-2L

1250+:¥0.5837

100+:¥0.6422

70+:¥0.8151

1878

-
3天-15天
AOD413A
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
TO-252-2L

2500+:¥0.4542

300+:¥0.4678

100+:¥0.486

30+:¥0.5859

10+:¥0.7085

1+:¥0.8629

2055

23+
1工作日
AOD413A
HXY MOSFET(华轩阳电子)
TO-252-2L

50000+:¥0.4603

37500+:¥0.4659

2500+:¥0.4704

1250+:¥0.513

100+:¥0.5645

1+:¥0.8456

2478

24+
2-5工作日
AOD413A
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
TO-252-2L

7500+:¥0.4698

5000+:¥0.482

2500+:¥0.4902

720000

24+
5-7工作日

价格趋势
规格参数
属性 属性值
数量 1个P沟道
漏源电压(Vdss) 40V
连续漏极电流(Id) 25A
导通电阻(RDS(on)) 31mΩ@10V,8A