AOD409
AOS(Alpha & Omega Semiconductor)
TO-252-2(DPAK)
¥1.37
43,477
场效应管(MOSFET)
FET 类型:P 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):60 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):26A(Tc),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
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AOD409
AOS
TO252

2500+:¥1.32

1+:¥1.38

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AOD409
AOS
TO-252-2(DPAK)

1000+:¥1.37

500+:¥1.41

100+:¥1.68

30+:¥1.94

10+:¥2.23

1+:¥2.83

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AOS(美国万代)
TO-252,(D-Pak)

2500+:¥1.3728

1+:¥1.4352

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25+
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AOD409
AOS
TO-252(DPAK)

25000+:¥1.452

5000+:¥1.5675

2500+:¥1.65

800+:¥2.31

200+:¥3.3

10+:¥5.115

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-
AOD409
AOS(美国万代)
TO-252

2500+:¥1.452

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100+:¥1.749

30+:¥2.277

8598

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3天-15天

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 26A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 40 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 54 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 3600 pF @ 30 V
功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),60W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63