AO3423A
UMW(友台半导体)
SOT-23
¥0.172
12,429
场效应管(MOSFET)
FET 类型:P 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):20 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2A(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V,4.5V
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AO3423A
UMW(友台半导体)
SOT-23-3L

3000+:¥0.172

1+:¥0.194

5800

23+
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AO3423A
UMW(广东友台半导体)
SOT-23

3000+:¥0.17888

1+:¥0.20176

5799

23+
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AO3423A
UMW(友台半导体)
SOT-23

9000+:¥0.1848

6000+:¥0.1961

3000+:¥0.2188

300+:¥0.2644

100+:¥0.3021

10+:¥0.3776

830

-
立即发货
AO3423A
UMW/友台半导体
SOT-23

30000+:¥0.1082

9000+:¥0.1112

3000+:¥0.1132

6000

23+
1工作日
AO3423A
UMW/友台半导体
SOT-23

3000+:¥0.1196

1000+:¥0.1273

500+:¥0.1384

100+:¥0.1494

50+:¥0.1716

1+:¥0.1827

2788

2149+
1工作日
AO3423A
UMW/友台半导体
SOT-23

9000+:¥0.1809

6000+:¥0.1834

3000+:¥0.1858

180000

24+
5-9工作日
AO3423A
UMW(友台)
SOT-23

3000+:¥0.1834

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 2A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 3.2 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值) ±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 325 pF @ 4.5 V
功率耗散(最大值) 1.4W(Ta)
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3