AO3416
AOS(Alpha & Omega Semiconductor)
3-SMD,SOT-23-3 变式
¥0.3328
124,308
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):20 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.5A(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V,4.5V
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渠道
AO3416
AOS(美国万代)
SOT-23-3

3000+:¥0.3328

1+:¥0.35568

31599

24+
1-2工作日发货
AO3416
AOS
SOT-23

6000+:¥0.3391

3000+:¥0.3607

500+:¥0.4528

150+:¥0.5068

50+:¥0.5788

5+:¥0.7228

8975

-
立即发货
AO3416
AOS(美国万代)
SOT-23

3000+:¥0.3463

1200+:¥0.4303

600+:¥0.4347

50+:¥0.5556

5+:¥0.6939

2492

-
立即发货
AO3416
AOS
SOT-23-3L

30000+:¥0.352

6000+:¥0.38

3000+:¥0.4

800+:¥0.56

200+:¥0.8

10+:¥1.24

34635

-
AO3416
AOS(美国万代)
SOT23-3

3000+:¥0.416

1500+:¥0.4446

200+:¥0.4888

90+:¥0.6006

34607

-
3天-15天

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 6.5A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 22 毫欧 @ 6.5A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 16 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值) ±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1160 pF @ 10 V
功率耗散(最大值) 1.4W(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 3-SMD,SOT-23-3 变式