AO3415A
AOS(Alpha & Omega Semiconductor)
SOT-23
¥0.285
82,998
场效应管(MOSFET)
FET 类型:P 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):20 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.5V,4.5V
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AO3415A
AOS
SOT-23-3L

3000+:¥0.285

1+:¥0.322

4862

25+
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AO3415A
AOS(美国万代)
SOT-23-3

3000+:¥0.2964

1+:¥0.33488

4342

25+
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AO3415A
AOS(美国万代)
SOT-23

3000+:¥0.3031

1200+:¥0.3522

600+:¥0.3558

50+:¥0.4575

5+:¥0.5661

2657

-
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AO3415A
AOS
SOT-23

6000+:¥0.3044

3000+:¥0.3157

500+:¥0.3706

150+:¥0.4185

50+:¥0.4766

5+:¥0.5897

11125

-
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AO3415A
AOS(美国万代)
SOT-23-3

3000+:¥0.31125

1000+:¥0.31703

500+:¥0.32281

100+:¥0.3283

10+:¥0.33235

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 5A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.5V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 45 毫欧 @ 4A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 900mV @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 11 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值) ±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 940 pF @ 10 V
功率耗散(最大值) 1.5W(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 3-SMD,SOT-23-3 变式