AO3414
AOS(Alpha & Omega Semiconductor)
SOT-23
¥0.15
156,231
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):20 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V,4.5V
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AO3414
AOS(美国万代)
SOT23-3

3000+:¥0.15

1500+:¥0.1899

1000+:¥0.2206

100+:¥0.3061

1+:¥0.3846

476

-
3天-5天
AO3414
AOS
SOT-23-3

3000+:¥0.266

1+:¥0.299

44481

25+
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AO3414
AOS(美国万代)
SOT-23-3

3000+:¥0.27664

1+:¥0.31096

44476

25+
1-2工作日发货
AO3414
AOS(美国万代)
SOT-23

3000+:¥0.2981

1200+:¥0.3648

600+:¥0.3685

100+:¥0.4702

10+:¥0.5863

2901

-
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AO3414
AOS
SOT-23

3000+:¥0.3138

500+:¥0.3879

150+:¥0.4338

50+:¥0.4949

5+:¥0.6172

4200

-
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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 3A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 50 毫欧 @ 4.2A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 6.2 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值) ±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 436 pF @ 10 V
功率耗散(最大值) 1.4W(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 3-SMD,SOT-23-3 变式