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AO3409A
UMW(友台半导体)
SOT-23
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2.6A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
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价格(含税)
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UMW(友台半导体)
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3000+:￥0.109 1+:￥0.123 |
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UMW(广东友台半导体)
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硬之城
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21000+:￥0.1165 9000+:￥0.1255 3000+:￥0.1423 600+:￥0.1617 200+:￥0.1939 20+:￥0.252 |
2800 |
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UMW
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1+:￥0.1519 |
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京北通宇
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3000+:￥0.1635 1500+:￥0.1845 240+:￥0.2115 |
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UMW AO3409A
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2000+:￥0.1559 1000+:￥0.1628 500+:￥0.1725 100+:￥0.1932 20+:￥0.2139 5+:￥0.2346 |
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.6A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 130 毫欧 @ 2.6A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 9 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 370 pF @ 15 V |
| 功率耗散（最大值） | 1.4W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |