AO3407A
AOS(Alpha & Omega Semiconductor)
SOT-23
¥0.2964
383,037
场效应管(MOSFET)
FET 类型:P 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):30 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.3A(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
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AO3407A
AOS
SOT-23-3

3000+:¥0.285

1+:¥0.322

155152

25+
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AO3407A
AOS(美国万代)
SOT-23-3L

3000+:¥0.2964

1+:¥0.33488

82938

25+
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AO3407A
AOS(美国万代)
SOT-23-3L

3000+:¥0.32802

1200+:¥0.3446

600+:¥0.35714

50+:¥0.4021

5+:¥0.44375

137990

22+
大陆:现货
AO3407A
AOS(美国万代)
SOT-23-3L

3000+:¥0.32802

1200+:¥0.3446

600+:¥0.35714

50+:¥0.4021

5+:¥0.44375

137990

-
大陆:现货
AO3407A
AOS(美国万代)
SOT-23

3000+:¥0.3381

1200+:¥0.3933

600+:¥0.3972

50+:¥0.5094

5+:¥0.6288

9237

-
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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 4.3A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 48 毫欧 @ 4.3A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 16 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 830 pF @ 15 V
功率耗散(最大值) 1.4W(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 3-SMD,SOT-23-3 变式