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IPG20N06S4L-26-HXY
华轩阳
DFN-8(5x6)
场效应管(MOSFET)
数量：2个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：50A，导通电阻(RDS(on))：14mΩ@10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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IPG20N06S4L-26-HXY
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HXY MOSFET(华轩阳电子)
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DFN-8(5x6)
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1000+:￥1.3515 500+:￥1.428 100+:￥1.632 30+:￥1.9295 10+:￥2.1675 1+:￥2.72 |
3087 |
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立创商城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
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| 数量 | 2个N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 连续漏极电流(Id) | 50A |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@10V |