LM5109BQNGTRQ1
TI(德州仪器)
WSON-8-EP(4x4)
¥3.9303
717
栅极驱动芯片
驱动配置:半桥,通道类型:独立式,驱动器数:2,栅极类型:N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:8V ~ 14V
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LM5109BQNGTRQ1
TI(德州仪器)
WSON-8-EP(4x4)

1000+:¥3.9303

500+:¥4.0986

100+:¥4.455

30+:¥5.32

10+:¥6.05

1+:¥7.37

710

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LM5109BQNGTRQ1
TI(德州仪器)
WSON-8

1000+:¥4.76

500+:¥5.6

200+:¥6.33

1+:¥7.68

7

19+/20+
LM5109BQNGTRQ1
德州仪器(TI)
WSON-8-EP(4x4)

500+:¥6.44

100+:¥7.406

30+:¥9.016

10+:¥10.948

1+:¥12.88

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
驱动配置 半桥
通道类型 独立式
驱动器数 2
栅极类型 N 沟道 MOSFET
电压 - 供电 8V ~ 14V
逻辑电压\xa0- VIL,VIH 0.8V,2.2V
电流 - 峰值输出(灌入,拉出) 1A,1A
输入类型 非反相
高压侧电压 - 最大值(自举) 108 V
上升/下降时间(典型值) 15ns,15ns
工作温度 -40°C ~ 125°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 8-WDFN 裸露焊盘
产地信息
属性 属性值
晶圆地(国家/地区)(CCO) TI:United States External:United Kingdom
晶圆地(城市)(CSO) TI:South Portland, US External:1
封装地(国家/地区)(ACO) TI:Malaysia
封装地(城市)(ASO) TI:Melaka, MY