咨询/建议
LM5109BQNGTTQ1
TI(德州仪器)
WSON-8-EP(4x4)
栅极驱动芯片
驱动配置：半桥，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：8V ~ 14V
|
厂家型号
|
厂牌
|
封装
|
价格(含税)
|
库存
|
批次
|
交期
|
渠道
|
|---|
|
LM5109BQNGTTQ1
|
TI(德州仪器)
|
WSON-8-EP(4x4)
|
30+:￥10.89 10+:￥11.08 1+:￥11.37 |
10 |
-
|
立即发货
|
立创商城
|
|
LM5109BQNGTTQ1
|
TI(德州仪器)
|
WSON-8(4x4)
|
1000+:￥10.89 500+:￥10.89 200+:￥11.08 1+:￥11.37 |
10 |
19+/20+
|
在芯间
|
|
|
LM5109BQNGTTQ1
|
德州仪器(TI)
|
WSON-8-EP(4x4)
|
1000+:￥12.8 500+:￥15.36 200+:￥19.2 1+:￥23.04 |
0 |
-
|
油柑网
|
价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 驱动配置 | 半桥 |
| 通道类型 | 独立式 |
| 驱动器数 | 2 |
| 栅极类型 | N 沟道 MOSFET |
| 电压 - 供电 | 8V ~ 14V |
| 逻辑电压\xa0- VIL，VIH | 0.8V，2.2V |
| 电流 - 峰值输出（灌入，拉出） | 1A，1A |
| 输入类型 | 非反相 |
| 高压侧电压 - 最大值（自举） | 108 V |
| 上升/下降时间（典型值） | 15ns，15ns |
| 工作温度 | -40°C ~ 125°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-WDFN 裸露焊盘 |
产地信息
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 晶圆地（国家/地区）(CCO) | TI:United States External:United Kingdom |
| 晶圆地（城市）(CSO) | TI:South Portland, US External:1 |
| 封装地（国家/地区）(ACO) | TI:Malaysia |
| 封装地（城市）(ASO) | TI:Melaka, MY |