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LM5113TME/NOPB
TI(德州仪器)
12-WFBGA，DSBGA
栅极驱动芯片
驱动配置：半桥，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 5.5V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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LM5113TME/NOPB
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德州仪器(TI)
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DSBGA-12
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1000+:￥17.9733 500+:￥20.6693 250+:￥22.4666 30+:￥25.1626 10+:￥30.5546 1+:￥35.9466 |
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油柑网
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LM5113TME/NOPB
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TI(德州仪器)
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DSBGA-12
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250+:￥21.0527 |
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立即发货
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立创商城
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LM5113TME/NOPB
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TI(德州仪器)
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DSBGA-12
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100+:￥39.2 30+:￥43.92 10+:￥48.56 1+:￥56.38 |
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19+/20+
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在芯间
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 驱动配置 | 半桥 |
| 通道类型 | 独立式 |
| 驱动器数 | 2 |
| 栅极类型 | N 沟道 MOSFET |
| 电压 - 供电 | 4.5V ~ 5.5V |
| 逻辑电压\xa0- VIL，VIH | 1.76V，1.89V |
| 电流 - 峰值输出（灌入，拉出） | 1.2A，5A |
| 输入类型 | 非反相 |
| 高压侧电压 - 最大值（自举） | 107 V |
| 上升/下降时间（典型值） | 7ns，1.5ns |
| 工作温度 | -40°C ~ 125°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 12-WFBGA，DSBGA |
产地信息
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 晶圆地（国家/地区）(CCO) | TI:United States |
| 晶圆地（城市）(CSO) | TI:South Portland, US |
| 封装地（国家/地区）(ACO) | TI:Malaysia |
| 封装地（城市）(ASO) | TI:Melaka, MY |