LMG1025QDEERQ1
TI(德州仪器)
WSON-6-EP(2x2)
¥17.0618
838
栅极驱动芯片
驱动配置:低端,通道类型:单路,驱动器数:1,栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET,电压 - 供电:4.75V ~ 5.25V
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LMG1025QDEERQ1
TI(德州仪器)
WSON-6-EP(2x2)

1000+:¥17.0618

500+:¥17.5616

100+:¥18.669

30+:¥21.5

10+:¥23.92

1+:¥27.99

838

-
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LMG1025QDEERQ1
Texas Instruments
WSON-6

1000+:¥17.6985

500+:¥18.3363

100+:¥19.1335

1025

-
3-5工作日
LMG1025QDEERQ1
Texas Instruments
WSON-6

500+:¥18.0235

100+:¥18.502

10+:¥19.14

5980

22+
3-5工作日
LMG1025QDEERQ1
Texas Instruments
WSON-6

3000+:¥43.9152

2000+:¥45.0915

1000+:¥46.2678

19607

-
10-12工作日
LMG1025QDEERQ1
TI(德州仪器)
WSON-6(2x2)

1000+:¥32.646

500+:¥32.646

200+:¥32.646

1+:¥33.56

0

19+/20+

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
驱动配置 低端
通道类型 单路
驱动器数 1
栅极类型 N 沟道,P 沟道 MOSFET
电压 - 供电 4.75V ~ 5.25V
逻辑电压\xa0- VIL,VIH 1.8V,1.7V
电流 - 峰值输出(灌入,拉出) 7A,5A
输入类型 反相,非反相
工作温度 -40°C ~ 125°C(TJ)
安装类型 表面贴装,可润湿侧翼
封装/外壳 6-WDFN 裸露焊盘
产地信息
属性 属性值
晶圆地(国家/地区)(CCO) TI:United States
晶圆地(城市)(CSO) TI:Richardson, US
封装地(国家/地区)(ACO) External:Thailand
封装地(城市)(ASO) External:1