LMG1025QDEETQ1
TI(德州仪器)
WSON-6-EP(2x2)
¥25.01
219
栅极驱动芯片
驱动配置:低端,通道类型:单路,驱动器数:1,栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET,电压 - 供电:4.75V ~ 5.25V
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LMG1025QDEETQ1
TI(德州仪器)
WSON-6-EP(2x2)

30+:¥25.01

10+:¥27.92

1+:¥32.82

219

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LMG1025QDEETQ1
Texas Instruments
WSON-6

1000+:¥19.869

500+:¥20.585

100+:¥21.48

3455

-
3-5工作日
LMG1025QDEETQ1
TEXAS INSTRUMENTS
WSON-6

100+:¥39.8431

30+:¥45.0192

10+:¥50.6659

1+:¥60.5602

519

22+
1-3工作日
LMG1025QDEETQ1
Texas Instruments
WSON-6

3000+:¥47.3536

2000+:¥48.622

217062

-
10-12工作日
LMG1025QDEETQ1
Texas Instruments
WSON-6

1000+:¥52.4463

1011

-
5-9工作日

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
驱动配置 低端
通道类型 单路
驱动器数 1
栅极类型 N 沟道,P 沟道 MOSFET
电压 - 供电 4.75V ~ 5.25V
逻辑电压\xa0- VIL,VIH 1.8V,1.7V
电流 - 峰值输出(灌入,拉出) 7A,5A
输入类型 反相,非反相
上升/下降时间(典型值) 650ps,850ps
工作温度 -40°C ~ 125°C(TJ)
安装类型 表面贴装,可润湿侧翼
封装/外壳 6-WDFN 裸露焊盘
产地信息
属性 属性值
晶圆地(国家/地区)(CCO) TI:United States
晶圆地(城市)(CSO) TI:Richardson, US
封装地(国家/地区)(ACO) External:Thailand
封装地(城市)(ASO) External:1