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LMG1210RVRT
TI(德州仪器)
WQFN-19(3x4)
栅极驱动芯片
驱动配置：半桥，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.75V ~ 5.25V，6V ~ 18V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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LMG1210RVRT
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TI(德州仪器)
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WQFN-19(3x4)
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100+:￥28.13 30+:￥31.08 10+:￥34.61 1+:￥40.41 |
172 |
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立即发货
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立创商城
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LMG1210RVRT
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德州仪器(TI)
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WQFN-19(3x4)
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1000+:￥15.44 500+:￥18.528 250+:￥23.16 1+:￥27.792 |
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油柑网
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LMG1210RVRT
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TI(德州仪器)
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WQFN-19
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1000+:￥54.64 500+:￥60.52 200+:￥67.56 1+:￥79.1 |
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19+/20+
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在芯间
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 驱动配置 | 半桥 |
| 通道类型 | 独立式 |
| 驱动器数 | 2 |
| 栅极类型 | N 沟道 MOSFET |
| 电压 - 供电 | 4.75V ~ 5.25V，6V ~ 18V |
| 电流 - 峰值输出（灌入，拉出） | 1.5A，3A |
| 输入类型 | 非反相 |
| 高压侧电压 - 最大值（自举） | 200 V |
| 上升/下降时间（典型值） | 500ps，500ps |
| 工作温度 | -40°C ~ 125°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装，可润湿侧翼 |
| 封装/外壳 | 19-WFQFN 裸露焊盘 |
产地信息
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 晶圆地（国家/地区）(CCO) | TI:United States |
| 晶圆地（城市）(CSO) | TI:Dallas, US |
| 封装地（国家/地区）(ACO) | TI:China;Malaysia;Philippines External:China;Thailand |
| 封装地（城市）(ASO) | TI:Chengdu, CN;Kuala Lumpur, MY;Melaka, MY;Angeles City, PH External:5 |