咨询/建议
LND150K1-G
MICROCHIP(美国微芯)
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：500 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：13mA（Tj），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：0V
|
厂家型号
|
厂牌
|
封装
|
价格(含税)
|
库存
|
批次
|
交期
|
渠道
|
|---|
|
LND150K1-G
|
MICROCHIP(美国微芯)
|
SOT-23
|
3000+:￥3.5 1+:￥3.64 |
90 |
23+
|
立即发货
|
圣禾堂
|
|
LND150K1-G
|
Microchip(微芯)
|
SOT-23
|
3000+:￥3.64 1+:￥3.7856 |
85 |
23+
|
1-2工作日发货
|
硬之城
|
|
LND150K1-G
|
Microchip
|
SOT-23
|
10+:￥5.445 |
90 |
-
|
3天-15天
|
唯样商城
|
|
LND150K1-G
|
MICROCHIP
|
SOT-23
|
1+:￥2.6057 |
0 |
-
|
现货最快4H发
|
京北通宇
|
|
LND150K1-G
|
MICROCHIP(美国微芯)
|
SOT-23
|
3000+:￥3.7072 |
0 |
-
|
立即发货
|
立创商城
|
点击查看更多
价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 500 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 13mA（Tj） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 0V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1000 欧姆 @ 500µA，0V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 10 pF @ 25 V |
| FET 功能 | 耗尽模式 |
| 功率耗散（最大值） | 360mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |