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STGW75H65DFB2-4
ST(意法半导体)
TO-247-4
IGBT管/模块
IGBT类型：FS(场截止)，集射极击穿电压(Vces)：650V，集电极电流(Ic)：115A，耗散功率(Pd)：357W
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厂家型号
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封装
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价格(含税)
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库存
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渠道
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STGW75H65DFB2-4
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ST(意法半导体)
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TO-247-4
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1000+:￥13.3034 100+:￥13.5498 50+:￥13.7962 1+:￥14.7816 |
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立创商城
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STGW75H65DFB2-4
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意法半导体(ST)
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TO-247-4
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100+:￥44.8667 30+:￥53.84 10+:￥67.3001 1+:￥80.7601 |
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| IGBT类型 | FS(场截止) |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V |
| 集电极电流(Ic) | 115A |
| 耗散功率(Pd) | 357W |