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TPS28226DRBR
TI(德州仪器)
VSON-8-EP(3x3)
栅极驱动芯片
驱动配置：半桥，通道类型：同步，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：6.8V ~ 8.8V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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TPS28226DRBR
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Texas Instruments
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SON
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3000+:￥5.5328 |
8431 |
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10-12工作日
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云汉芯城
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TPS28226DRBR
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TI(德州仪器)
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VSON-8-EP(3x3)
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1000+:￥2.1 500+:￥2.14 200+:￥2.22 1+:￥5.73 |
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立即发货
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立创商城
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TPS28226DRBR
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德州仪器(TI)
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VSON-8-EP(3x3)
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1000+:￥2.8 500+:￥3.36 200+:￥4.2 1+:￥5.04 |
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油柑网
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TPS28226DRBR
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TI(德州仪器)
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SON-8(3x3)
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1000+:￥6.3 500+:￥6.42 200+:￥6.66 1+:￥17.19 |
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19+/20+
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在芯间
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 驱动配置 | 半桥 |
| 通道类型 | 同步 |
| 驱动器数 | 2 |
| 栅极类型 | N 沟道 MOSFET |
| 电压 - 供电 | 6.8V ~ 8.8V |
| 输入类型 | 非反相 |
| 高压侧电压 - 最大值（自举） | 33 V |
| 上升/下降时间（典型值） | 10ns，10ns |
| 工作温度 | -40°C ~ 125°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-VDFN 裸露焊盘 |
产地信息
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 晶圆地（国家/地区）(CCO) | TI:United States;China |
| 晶圆地（城市）(CSO) | TI:Dallas, US;Chengdu, CN |
| 封装地（国家/地区）(ACO) | TI:China;Malaysia;Philippines External:China;Taiwan;Thailand |
| 封装地（城市）(ASO) | TI:Chengdu, CN;Kuala Lumpur, MY;Melaka, MY;Angeles City, PH External:5 |