UCC27512DRST
TI(德州仪器)
WSON-6-EP(3x3)
¥2.26
0
栅极驱动芯片
驱动配置:低端,通道类型:单路,驱动器数:1,栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:4.5V ~ 18V
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UCC27512DRST
TI(德州仪器)
WSON-6-EP(3x3)

1000+:¥2.26

500+:¥2.39

250+:¥2.63

30+:¥3.03

10+:¥3.44

1+:¥4.26

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立即发货
UCC27512DRST
TI(德州仪器)
SON-6

100+:¥7.89

30+:¥9.09

10+:¥10.32

1+:¥12.78

0

19+/20+
UCC27512DRST
德州仪器(TI)
WSON-6-EP(3x3)

1000+:¥11.8667

500+:¥13.6467

250+:¥14.8334

30+:¥16.6134

10+:¥20.1734

1+:¥23.7334

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
驱动配置 低端
通道类型 单路
驱动器数 1
栅极类型 IGBT,N 沟道 MOSFET
电压 - 供电 4.5V ~ 18V
逻辑电压\xa0- VIL,VIH 1V,2.4V
电流 - 峰值输出(灌入,拉出) 4A,8A
输入类型 反相,非反相
上升/下降时间(典型值) 8ns,7ns
工作温度 -40°C ~ 140°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 6-WDFN 裸露焊盘
产地信息
属性 属性值
晶圆地(国家/地区)(CCO) TI:United States;Japan
晶圆地(城市)(CSO) TI:Richardson, US;Miho, JP
封装地(国家/地区)(ACO) TI:China;Malaysia;Philippines External:China;Thailand
封装地(城市)(ASO) TI:Chengdu, CN;Melaka, MY;Angeles City, PH External:3