ZTX603
DIODES(美台)
TO-92-3
¥3.24
40
达林顿管
晶体管类型:NPN - 达林顿,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):1 A,电压 - 集射极击穿(最大值):80 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):1V @ 1mA,1A,电流 - 集电极截止(最大值):10µA
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ZTX603
DIODES(美台)
TO-92-3

30+:¥3.24

10+:¥3.29

1+:¥3.37

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ZTX603
美台(DIODES)
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30+:¥4.0267

10+:¥4.832

1+:¥7.2481

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 NPN - 达林顿
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 1 A
电压 - 集射极击穿(最大值) 80 V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 1V @ 1mA,1A
电流 - 集电极截止(最大值) 10µA
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 2000 @ 1A,5V
功率 - 最大值 1 W
频率 - 跃迁 150MHz
工作温度 -55°C ~ 200°C(TJ)
安装类型 通孔
封装/外壳 E-Line-3