咨询/建议
CSD19536KTT
TI(德州仪器)
TO-263-3
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：200A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
|
厂家型号
|
厂牌
|
封装
|
价格(含税)
|
库存
|
批次
|
交期
|
渠道
|
|---|
|
CSD19536KTT
|
TI(德州仪器)
|
TO263
|
100+:￥21.4 30+:￥22.3 10+:￥25.3 1+:￥28.8 |
50 |
22+
|
在芯间
|
|
|
CSD19536KTT
|
Texas Instruments
|
DDPAK，TO-263-3
|
1000+:￥18.648 500+:￥19.32 100+:￥20.16 |
1299 |
-
|
3-5工作日
|
云汉芯城
|
|
CSD19536KTT
|
德州仪器(TI)
|
TO-263-3
|
5000+:￥15.3422 1000+:￥16.5626 500+:￥17.4343 200+:￥24.408 100+:￥34.8686 10+:￥56.7486 |
0 |
-
|
油柑网
|
|
|
CSD19536KTT
|
TI(德州仪器)
|
TO-263-3
|
30+:￥23.07 10+:￥25.77 1+:￥30.32 |
3 |
-
|
立即发货
|
立创商城
|
价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 200A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 6V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 2.4 毫欧 @ 100A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3.2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 153 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 12000 pF @ 50 V |
| 功率耗散（最大值） | 375W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-263-4，D²Pak（3 引线 + 接片），TO-263AA |
产地信息
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 晶圆地（国家/地区）(CCO) | TI:China |
| 晶圆地（城市）(CSO) | TI:Chengdu, CN |
| 封装地（国家/地区）(ACO) | External:China |
| 封装地（城市）(ASO) | External:1 |