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AONR21307
AOS(Alpha & Omega Semiconductor)
DFN-8(3x3)
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：24A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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AONR21307
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AOS
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DFN-8(3x3)
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500+:￥1.36 150+:￥1.63 50+:￥1.84 5+:￥2.35 |
965 |
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立即发货
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立创商城
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AONR21307
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AOS
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DFN3x3A-8L
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5000+:￥1.4 1+:￥1.47 |
339 |
待确认
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立即发货
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圣禾堂
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AONR21307
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AOS(美国万代)
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DFN-8-EP(3x3)
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5000+:￥1.456 1+:￥1.5288 |
338 |
待确认
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1-2工作日发货
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硬之城
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AONR21307
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AOS(美国万代)
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DFN 3x3
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100+:￥1.925 30+:￥2.398 |
339 |
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3天-15天
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唯样商城
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AONR21307
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Alpha & Omega Semiconductor
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DFN-3
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15000+:￥1.298 9000+:￥1.32 5000+:￥1.353 |
30000 |
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5-7工作日
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云汉芯城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 24A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 11 毫欧 @ 17A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 50 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±25V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1995 pF @ 15 V |
| 功率耗散（最大值） | 5W（Ta），28W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |