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MUN5215DW1T1G
onsemi(安森美)
SOT-363
数字晶体管
晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双），电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50V，电阻器 - 基极 (R1)：10 千欧，不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：160 @ 5mA，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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MUN5215DW1T1G
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ON(安森美)
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SC-88/SC70-6/SOT-363
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3000+:￥0.12 1+:￥0.136 |
1828 |
21+
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立即发货
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圣禾堂
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MUN5215DW1T1G
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ON(安森美)
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SOT-363
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3000+:￥0.1248 1+:￥0.14144 |
1820 |
21+
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1-2工作日发货
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硬之城
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MUN5215DW1T1G
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安森美(onsemi)
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SOT-363
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30000+:￥0.132 6000+:￥0.1425 3000+:￥0.15 800+:￥0.21 100+:￥0.3 20+:￥0.4883 |
1828 |
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油柑网
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MUN5215DW1T1G
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ON(安森美)
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SOT-363
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3000+:￥0.13462 1000+:￥0.13712 500+:￥0.13962 100+:￥0.142 10+:￥0.14375 |
102946 |
22+
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现货
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硬之城
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MUN5215DW1T1G
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onsemi(安森美)
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SOT-363
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9000+:￥0.2039 6000+:￥0.2173 3000+:￥0.2443 300+:￥0.2779 100+:￥0.3228 10+:￥0.4126 |
2280 |
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 晶体管类型 | 2 个 NPN 预偏压式（双） |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 100mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电阻器 - 基极 (R1) | 10 千欧 |
| 不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 160 @ 5mA，10V |
| 不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降（最大值） | 250mV @ 1mA，10mA |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 500nA |
| 功率 - 最大值 | 250mW |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |