MUN5215DW1T1G
onsemi(安森美)
SOT-363
¥0.1248
113,236
数字晶体管
晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双),电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100mA,电压 - 集射极击穿(最大值):50V,电阻器 - 基极 (R1):10 千欧,不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):160 @ 5mA,10V
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MUN5215DW1T1G
ON(安森美)
SC-88/SC70-6/SOT-363

3000+:¥0.12

1+:¥0.136

1828

21+
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MUN5215DW1T1G
ON(安森美)
SOT-363

3000+:¥0.1248

1+:¥0.14144

1820

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MUN5215DW1T1G
安森美(onsemi)
SOT-363

30000+:¥0.132

6000+:¥0.1425

3000+:¥0.15

800+:¥0.21

100+:¥0.3

20+:¥0.4883

1828

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ON(安森美)
SOT-363

3000+:¥0.13462

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onsemi(安森美)
SOT-363

9000+:¥0.2039

6000+:¥0.2173

3000+:¥0.2443

300+:¥0.2779

100+:¥0.3228

10+:¥0.4126

2280

-
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ON(安森美)
SOT-363

1500+:¥0.204

220+:¥0.234

1828

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3天-15天
MUN5215DW1T1G
ON SEMICONDUCTOR
[SC-88-6 / SC-70-6 / SOT-363-6, SC-88-6 / SC-70-6 / SOT-363-6]

1000+:¥0.2352

100+:¥0.2539

1+:¥0.2715

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2141
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ON(安森美)
SC-88/SC70-6/SOT-363

3000+:¥0.1248

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200+:¥0.16224

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1-3工作日
MUN5215DW1T1G
ON(安森美)
SOT-363

3000+:¥0.132

1500+:¥0.1496

200+:¥0.1716

1+:¥0.2662

1829

21+
2-4工作日
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On Semiconductor/Fairchild
SOT-363

24000+:¥0.1475

6000+:¥0.15

3000+:¥0.1525

1+:¥0.1563

100926

22+
3-5工作日
MUN5215DW1T1G
On Semiconductor/Fairchild
SOT-363

18000+:¥0.224

9000+:¥0.228

6000+:¥0.232

3000+:¥0.25

12000

20+
3-5工作日
MUN5215DW1T1G
onsemi(安森美)
SOT-363

1000+:¥0.3202

2407

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6-8工作日
MUN5215DW1T1G
onsemi(安森美)
SOT-363

1000+:¥0.22

500+:¥0.24

100+:¥0.33

10+:¥0.49

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18+/19+

价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 2 个 NPN 预偏压式(双)
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 100mA
电压 - 集射极击穿(最大值) 50V
电阻器 - 基极 (R1) 10 千欧
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 160 @ 5mA,10V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 250mV @ 1mA,10mA
电流 - 集电极截止(最大值) 500nA
功率 - 最大值 250mW
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 6-TSSOP,SC-88,SOT-363