BCV47TA
DIODES(美台)
SOT-23
¥0.16
59,120
达林顿管
晶体管类型:NPN - 达林顿,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):500 mA,电压 - 集射极击穿(最大值):60 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):1V @ 100µA,100mA,电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
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DIODES(美台)
SOT23

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1+:¥0.181

14782

24+
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BCV47TA
Diodes(美台)
SOT-23-3

3000+:¥0.1664

1+:¥0.18824

14774

24+
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美台(DIODES)
SOT-23

30000+:¥0.176

6000+:¥0.19

3000+:¥0.2

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100+:¥0.4

20+:¥0.651

14782

-
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Diodes(达尔)
SOT-23-3

3000+:¥0.24

200+:¥0.2704

120+:¥0.4186

14782

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3天-15天
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DIODES(美台)
SOT-23-3

3000+:¥0.1776

1500+:¥0.2009

200+:¥0.2309

1+:¥0.3574

2852

24+
2-4工作日
BCV47TA
Diodes Incorporated
SOT-23-3

24000+:¥0.1932

12000+:¥0.1982

6000+:¥0.2016

3000+:¥0.2184

3000

-
5-7工作日
BCV47TA
Diodes Incorporated
SOT-23-3

60000+:¥0.2381

3000+:¥0.2401

1500+:¥0.2443

100+:¥0.2525

54666

23+
3-5工作日
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Diodes Incorporated
SOT-23-3

30000+:¥0.336

15000+:¥0.339

6000+:¥0.348

3000+:¥0.36

12000

-
4-7工作日
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Diodes Incorporated
SOT-23-3

1500+:¥0.5414

800+:¥0.5582

2100

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10-15工作日
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SOT-23

66000+:¥0.1683

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DIODES INCORPORATED

100+:¥0.4156

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规格参数
属性 属性值
晶体管类型 NPN - 达林顿
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 500 mA
电压 - 集射极击穿(最大值) 60 V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 1V @ 100µA,100mA
电流 - 集电极截止(最大值) 100nA(ICBO)
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 10000 @ 100mA,5V
功率 - 最大值 330 mW
频率 - 跃迁 170MHz
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3