STGF20M65DF2
ST(意法半导体)
TO-220F-3
¥5.91
2,723
IGBT管/模块
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):650 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):40 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):80 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,20A
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STGF20M65DF2
ST(意法半导体)
TO-220FP

1000+:¥5.91

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1000+:¥6.1464

1+:¥6.3648

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100+:¥6.732

7+:¥7.942

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100+:¥6.422

30+:¥6.422

10+:¥6.422

1+:¥6.422

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20+/21+
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1000+:¥7.1511

17+:¥8.415

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STGF20M65DF2
意法半导体(ST)
TO-220F-3

1000+:¥15.1733

500+:¥17.4493

100+:¥18.9666

30+:¥21.2426

10+:¥25.7946

1+:¥30.3466

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
IGBT 类型 沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值) 650 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 40 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm) 80 A
不同\xa0Vge、Ic 时\xa0Vce(on)(最大值) 2V @ 15V,20A
功率 - 最大值 32.6 W
开关能量 140µJ(开),560µJ(关)
输入类型 标准
栅极电荷 63 nC
25°C 时 Td(开/关)值 26ns/108ns
测试条件 400V,20A,12 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr) 166 ns
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-220-3 整包