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MJD112T4
ST(意法半导体)
TO-252
达林顿管
晶体管类型：NPN - 达林顿，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：2 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：100 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：3V @ 40mA，4A，电流 - 集电极截止（最大值）：20µA
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厂家型号
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封装
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价格(含税)
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交期
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渠道
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MJD112T4
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ST(意法半导体)
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DPAK
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2500+:￥1.06 1+:￥1.12 |
2094 |
25+
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圣禾堂
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MJD112T4
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ST(意法半导体)
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TO-252
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2500+:￥1.1024 1+:￥1.1648 |
2091 |
25+
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1-2工作日发货
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硬之城
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MJD112T4
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ST(意法半导体)
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TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
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1250+:￥1.232 100+:￥1.419 30+:￥1.837 |
2094 |
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3天-15天
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唯样商城
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MJD112T4
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ST(意法半导体)
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TO-252
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2500+:￥1.2332 |
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立创商城
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MJD112T4
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意法半导体(ST)
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TO-252
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2500+:￥2.4765 |
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油柑网
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
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| 晶体管类型 | NPN - 达林顿 |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 2 A |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 100 V |
| 不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降（最大值） | 3V @ 40mA，4A |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 20µA |
| 不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 1000 @ 2A，3V |
| 功率 - 最大值 | 20 W |
| 频率 - 跃迁 | 25MHz |
| 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |