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BSS214NH6327XTSA1
Infineon(英飞凌)
SOT-23
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：1.5A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，4.5V
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封装
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价格(含税)
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Infineon(英飞凌)
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SOT-23-3
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3000+:￥0.26 1+:￥0.294 |
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圣禾堂
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3000+:￥0.2704 1+:￥0.30576 |
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硬之城
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英飞凌(INFINEON)
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SOT-23-3
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30000+:￥0.286 6000+:￥0.3088 3000+:￥0.325 800+:￥0.455 100+:￥0.65 20+:￥1.0579 |
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油柑网
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Infineon(英飞凌)
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600+:￥0.4633 50+:￥0.5022 5+:￥0.6172 |
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100+:￥0.49 1+:￥0.539 |
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2029
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京北通宇
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150+:￥0.468 50+:￥0.5286 5+:￥0.6497 |
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 20 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1.5A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 140 毫欧 @ 1.5A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.2V @ 3.7µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 0.8 nC @ 5 V |
| Vgs（最大值） | ±12V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 143 pF @ 10 V |
| 功率耗散（最大值） | 500mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |