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NTMFS5C410NT1G
onsemi(安森美)
SO-8FL
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：40 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：46A（Ta），300A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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NTMFS5C410NT1G
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onsemi(安森美)
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SO-8FL
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1500+:￥2.81 500+:￥2.98 100+:￥3.32 30+:￥3.89 10+:￥5.16 1+:￥6.3 |
2890 |
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立即发货
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立创商城
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NTMFS5C410NT1G
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安森美(onsemi)
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SO-8-FL-5.8mm
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1500+:￥10.1333 500+:￥11.6533 100+:￥12.6666 30+:￥14.1866 10+:￥17.2266 1+:￥20.2666 |
0 |
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油柑网
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NTMFS5C410NT1G
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ON SEMICONDUCTOR
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SO-8FL / DFN-5
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1+:￥11.1015 |
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现货最快4H发
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京北通宇
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 40 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 46A（Ta），300A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 0.92 毫欧 @ 50A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 86 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 6100 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 3.9W（Ta），166W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN，5 引线 |