SQ2398ES-T1_GE3
VISHAY(威世)
SOT-23
¥1.0197
32,735
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):100 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.6A(Tc),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
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SQ2398ES-T1_GE3
威世(VISHAY)
SOT-23-3

30000+:¥1.0197

6000+:¥1.1009

3000+:¥1.1588

800+:¥1.6223

200+:¥2.3176

10+:¥3.7719

3000

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SOT-23

1000+:¥1.14

500+:¥1.22

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30+:¥1.65

10+:¥1.89

1+:¥2.45

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Vishay(威世)
SOT-23-3

3000+:¥1.144

1500+:¥1.2056

750+:¥1.276

100+:¥1.4344

30+:¥1.7864

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SOT-23-3(TO-236)

3000+:¥1.3

1+:¥1.37

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23+
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SOT-23-3

3000+:¥1.3416

1+:¥1.4144

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VISHAY

1+:¥1.8628

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2323
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Vishay(威世)
SOT-23-3

3000+:¥0.96512

1500+:¥1.02336

750+:¥1.0816

100+:¥1.21472

1+:¥1.51424

10993

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1-3工作日

价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 1.6A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 300 毫欧 @ 1.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 3.4 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 152 pF @ 50 V
功率耗散(最大值) 2W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3