LM5108DRCR
TI(德州仪器)
VSON-10-EP(3x3)
¥2.31
6,725
栅极驱动芯片
驱动配置:半桥,通道类型:独立式,驱动器数:2,栅极类型:N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:5.5V ~ 16V
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LM5108DRCR
TI(德州仪器)
VSON-10(3x3)

3000+:¥2.31

1+:¥2.4

799

25+
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LM5108DRCR
TI(德州仪器)
VFDFN-10 裸露焊盘

3000+:¥2.4024

1+:¥2.496

791

25+
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LM5108DRCR
德州仪器(TI)
VSON-10-EP(3x3)

1000+:¥2.64

100+:¥3.168

10+:¥3.696

1+:¥4.62

799

-
LM5108DRCR
TI(德州仪器)

750+:¥2.772

100+:¥2.992

20+:¥3.597

799

-
3天-15天
LM5108DRCR
TI(德州仪器)
VSON-10-EP(3x3)

1000+:¥2.8017

500+:¥2.97

100+:¥3.4947

30+:¥4.08

10+:¥4.64

1+:¥5.75

3538

-
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LM5108DRCR
TI(德州仪器)
VSON10

500+:¥180.2

100+:¥184.6

20+:¥193.8

1+:¥206.0

-1

21+

价格趋势
规格参数
属性 属性值
驱动配置 半桥
通道类型 独立式
驱动器数 2
栅极类型 N 沟道 MOSFET
电压 - 供电 5.5V ~ 16V
电流 - 峰值输出(灌入,拉出) 1.6A,2.6A
输入类型 CMOS/TTL
上升/下降时间(典型值) 11ns,8ns
工作温度 -40°C ~ 125°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 10-VFDFN 裸露焊盘
产地信息
属性 属性值
晶圆地(国家/地区)(CCO) TI:United States
晶圆地(城市)(CSO) TI:Richardson, US;South Portland, US
封装地(国家/地区)(ACO) TI:China;Malaysia;Philippines External:China;Taiwan;Thailand
封装地(城市)(ASO) TI:Chengdu, CN;Melaka, MY;Angeles City, PH External:4