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STGYA50M120DF3
ST(意法半导体)
TO-247-3
IGBT管/模块
IGBT 类型：沟槽型场截止，电压 - 集射极击穿（最大值）：1200 V，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100 A，电流 - 集电极脉冲 (Icm)：200 A，不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.2V @ 15V，50A
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封装
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价格(含税)
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交期
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渠道
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STGYA50M120DF3
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ST(意法半导体)
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TO-247-3
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30+:￥38.9575 |
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立即发货
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立创商城
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STGYA50M120DF3
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意法半导体(ST)
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TO-247-3
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30+:￥84.08 10+:￥100.896 1+:￥151.344 |
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油柑网
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| IGBT 类型 | 沟槽型场截止 |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 1200 V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 100 A |
| 电流 - 集电极脉冲 (Icm) | 200 A |
| 不同\xa0Vge、Ic 时\xa0Vce(on)（最大值） | 2.2V @ 15V，50A |
| 功率 - 最大值 | 535 W |
| 开关能量 | 2mJ（开），3.2mJ（关） |
| 输入类型 | 标准 |
| 栅极电荷 | 194 nC |
| 25°C 时 Td（开/关）值 | 38ns/258ns |
| 测试条件 | 600V，50A，10 欧姆，15V |
| 反向恢复时间 (trr) | 325 ns |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |