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2ST501T
ST(意法半导体)
TO-220
达林顿管
晶体管类型：NPN - 达林顿，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：4 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：350 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：1.5V @ 2mA，2A，电流 - 集电极截止（最大值）：100µA
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封装
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价格(含税)
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ST(意法半导体)
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TO-220
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1000+:￥2.83 1+:￥2.96 |
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圣禾堂
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STMICROELECTRONICS
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50+:￥3.9397 1+:￥4.111 |
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京北通宇
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ST(意法半导体)
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TO-220
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100+:￥4.36 50+:￥4.43 10+:￥4.5 1+:￥4.6 |
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立创商城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 晶体管类型 | NPN - 达林顿 |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 4 A |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 350 V |
| 不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降（最大值） | 1.5V @ 2mA，2A |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 100µA |
| 不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 2000 @ 2A，2V |
| 功率 - 最大值 | 100 W |
| 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |