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SUD50P04-08-GE3
VISHAY(威世)
TO-252
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：40 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：50A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
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厂家型号
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封装
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价格(含税)
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VISHAY(威世)
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TO-252，（D-Pak）
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2000+:￥3.36 1+:￥3.49 |
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圣禾堂
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VISHAY(威世)
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TO-252
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1000+:￥3.41 500+:￥3.55 100+:￥3.87 30+:￥4.59 10+:￥5.22 1+:￥6.38 |
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立创商城
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Vishay(威世)
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TO-252-3
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2000+:￥3.4944 1+:￥3.6296 |
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硬之城
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威世(VISHAY)
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TO-252
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20000+:￥3.696 4000+:￥3.99 2000+:￥4.2 500+:￥5.88 200+:￥8.4 10+:￥13.671 |
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油柑网
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Vishay(威世)
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TO-252
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2000+:￥3.696 1000+:￥3.839 100+:￥4.224 10+:￥5.071 |
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 40 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 50A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 8.1 毫欧 @ 22A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 159 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 5380 pF @ 20 V |
| 功率耗散（最大值） | 2.5W（Ta），73.5W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |