MMSZ4693T1G
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.125
7,610
稳压二极管
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):7.5 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10 µA @ 5.7 V,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA
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MMSZ4693T1G
ON(安森美)
SOD-123

3000+:¥0.125

1+:¥0.141

370

5年内
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MMSZ4693T1G
ON(安森美)
SOD-123

3000+:¥0.13

1+:¥0.14664

363

5年内
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MMSZ4693T1G
ON SEMICONDUCTOR
SOD-123

1+:¥0.1347

3334

2132
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MMSZ4693T1G
安森美(onsemi)
SOD-123-2

30000+:¥0.1375

6000+:¥0.1485

3000+:¥0.1563

800+:¥0.2188

100+:¥0.3126

20+:¥0.5087

370

-
MMSZ4693T1G
ON(安森美)
SOD-123

1000+:¥0.1651

500+:¥0.1725

100+:¥0.1872

30+:¥0.202

1+:¥0.2093

120

-
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MMSZ4693T1G
ON(安森美)
SOD-123

210+:¥0.2445

370

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3天-15天
MMSZ4693T1G
onsemi(安森美)
SOD123

1000+:¥0.37

500+:¥0.47

200+:¥0.76

20+:¥1.12

2673

18+/19+
MMSZ4693T1G
ON SEMICONDUCTOR
SOD-123

144+:¥0.1253

144

2216+
2-3工作日
MMSZ4693T1G
ON(安森美)
SOD-123

3000+:¥0.13

1500+:¥0.14664

200+:¥0.16952

1+:¥0.26208

394

--
1-3工作日
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ON(安森美)
SOD-123

3000+:¥0.1375

1500+:¥0.1551

200+:¥0.1793

1+:¥0.2772

394

23+
2-4工作日
MMSZ4693T1G
ON SEMICONDUCTOR
SOD-123

3000+:¥0.15

500+:¥0.1638

150+:¥0.1803

50+:¥0.2108

5+:¥0.2537

2970

2519+
1工作日
MMSZ4693T1G
On Semiconductor/Fairchild
SOD-123

1000+:¥0.1584

100+:¥0.1652

10+:¥0.1987

370000

-
5-10工作日
MMSZ4693T1G
On Semiconductor/Fairchild
SOD-123

1500+:¥0.2682

800+:¥0.2768

6200

-
10-15工作日
MMSZ4693T1G
On Semiconductor/Fairchild
SOD-123

700+:¥0.3565

420+:¥0.4012

140+:¥0.432

13545

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14-18工作日
MMSZ4693T1G
onsemi(安森美)
SOD-123

300+:¥0.1782

100+:¥0.2059

10+:¥0.2613

10

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
电压 - 齐纳(标称值)(Vz) 7.5 V
容差 ±5%
功率 - 最大值 500 mW
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 10 µA @ 5.7 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf) 900 mV @ 10 mA
工作温度 -55°C ~ 150°C
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 SOD-123