MJD112T4G
onsemi(安森美)
TO-252(DPAK)
¥1.5392
27,156
达林顿管
晶体管类型:NPN - 达林顿,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):2 A,电压 - 集射极击穿(最大值):100 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):3V @ 40mA,4A,电流 - 集电极截止(最大值):20µA
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MJD112T4G
ON(安森美)
TO-252-3 (DPAK)

2500+:¥1.48

1+:¥1.56

5430

2年内
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MJD112T4G
ON(安森美)
TO-252-2(DPAK)

2500+:¥1.5392

1+:¥1.6224

5429

2年内
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MJD112T4G
安森美(onsemi)
TO-252-2(DPAK)

25000+:¥1.628

5000+:¥1.7575

2500+:¥1.85

800+:¥2.59

200+:¥3.7

10+:¥5.735

5430

-
MJD112T4G
ON(安森美)
DPAK

2500+:¥1.628

1250+:¥1.716

100+:¥1.969

20+:¥2.563

5430

-
3天-15天
MJD112T4G
onsemi(安森美)
TO-252(DPAK)

1000+:¥1.64

500+:¥1.74

100+:¥1.94

30+:¥2.27

10+:¥2.6

1+:¥3.27

4043

-
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MJD112T4G
onsemi(安森美)
TO252

500+:¥1.91

100+:¥2.26

20+:¥2.64

1+:¥3.54

6824

24+/25+
MJD112T4G
ON(安森美)
TO-252-2(DPAK)

2500+:¥1.56

1250+:¥1.6432

100+:¥1.8928

1+:¥2.4544

5430

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1-3工作日
MJD112T4G
ON(安森美)
D-PAK

1000+:¥1.7052

500+:¥1.7787

100+:¥1.9257

30+:¥2.0727

1+:¥2.1462

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 NPN - 达林顿
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 2 A
电压 - 集射极击穿(最大值) 100 V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 3V @ 40mA,4A
电流 - 集电极截止(最大值) 20µA
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 1000 @ 2A,3V
功率 - 最大值 20 W
频率 - 跃迁 25MHz
工作温度 -65°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63