DMP6023LFG-7
DIODES(美台)
PowerDI3333-8
¥1.36
9,552
场效应管(MOSFET)
FET 类型:P 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):60 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.7A(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
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DMP6023LFG-7
DIODES(美台)
PowerDI3333-8

1000+:¥1.36

500+:¥1.45

100+:¥1.71

30+:¥2.04

10+:¥2.3

1+:¥2.92

2636

-
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DMP6023LFG-7
DIODES(美台)
PowerDI3333-8

2000+:¥1.44

1+:¥1.51

6941

2年内
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DMP6023LFG-7
Diodes(达尔)
PowerDI3333-8

2000+:¥1.496

1000+:¥1.562

100+:¥1.804

30+:¥2.354

6916

-
3天-15天
DMP6023LFG-7
Diodes Incorporated
2000,PDI-33338,SOT-223

15000+:¥1.5458

10000+:¥1.573

6000+:¥1.6001

2500+:¥1.6272

11124

-
3-5工作日
DMP6023LFG-7
Diodes Incorporated
2000,PDI-33338,SOT-223

16000+:¥1.559

8000+:¥1.5859

4000+:¥1.6128

2000+:¥1.6397

9600

25+
3-5工作日
DMP6023LFG-7
DIODES(美台)
2000,PDI-33338,SOT-223

40000+:¥1.5762

30000+:¥1.5984

2000+:¥1.5984

1000+:¥1.6761

100+:¥1.9314

1+:¥2.5086

7942

24+
2-4工作日
DMP6023LFG-7
Diodes Incorporated
2000,PDI-33338,SOT-223

16000+:¥1.6445

8000+:¥1.6874

4000+:¥1.716

2000+:¥1.859

12000

-
5-7工作日
DMP6023LFG-7
美台(DIODES)
PowerDI 3333-8

20000+:¥1.5523

4000+:¥1.6758

2000+:¥1.764

500+:¥2.4696

200+:¥3.528

10+:¥5.7418

0

-
DMP6023LFG-7
DIODES(美台)
PowerWDFN8

100+:¥2.398

30+:¥2.5265

10+:¥2.5693

1+:¥2.7834

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 7.7A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 25 毫欧 @ 5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 53.1 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 2569 pF @ 30 V
功率耗散(最大值) 1W(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 8-PowerVDFN