BSS308PEH6327XTSA1
Infineon(英飞凌)
SOT-23
¥0.235
231,688
场效应管(MOSFET)
FET 类型:P 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):30 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2A(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
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BSS308PEH6327XTSA1
Infineon(英飞凌)
PG-SOT23-3

3000+:¥0.235

1+:¥0.266

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BSS308PEH6327XTSA1
Infineon(英飞凌)
SOT-23

3000+:¥0.2444

1+:¥0.27664

27828

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BSS308PEH6327
Infineon(英飞凌)
SOT-23

6000+:¥0.2532

3000+:¥0.2734

500+:¥0.3546

150+:¥0.4053

50+:¥0.4728

5+:¥0.6078

37940

-
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BSS308PEH6327XTSA1
英飞凌(INFINEON)
SOT-23

30000+:¥0.2859

6000+:¥0.3087

3000+:¥0.3249

800+:¥0.4549

200+:¥0.6498

10+:¥1.0072

84000

-
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PG-SOT-23

30+:¥0.456

10+:¥0.531

1+:¥0.681

39080

20+/21+
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SOT-23

500+:¥0.5684

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BSS308PEH6327XTSA1
Infineon(英飞凌)
SOT-23

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30+:¥0.666

10+:¥0.678

1+:¥0.738

182

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BSS308PEH6327XTSA1
Infineon
SOT-23-3

27000+:¥0.7069

18000+:¥0.7658

9000+:¥0.8247

6000+:¥0.8836

3000+:¥0.9428

1000+:¥1.0016

1900

2106
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BSS308PEH6327XTSA1
Infineon(英飞凌)
SOT-23

3000+:¥0.2808

1500+:¥0.3172

200+:¥0.36504

1+:¥0.5668

2390

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1-3工作日
BSS308PEH6327XTSA1
Infineon(英飞凌)
3000,SOT-23

60000+:¥0.3002

45000+:¥0.3035

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1+:¥0.616

8426

25+
2-4工作日
BSS308PEH6327XTSA1
Infineon Technologies
3000,SOT-23

3000+:¥0.3145

1000+:¥0.3321

500+:¥0.3525

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50+:¥0.4659

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15425

2415+
1工作日
BSS308PEH6327XTSA1
Infineon Technologies/IR
3000,SOT-23

30000+:¥0.3209

15000+:¥0.3292

9000+:¥0.3404

3000+:¥0.3488

84000

-
3-5工作日
BSS308PEH6327XTSA1
Infineon Technologies/IR
3000,SOT-23

150000+:¥0.3291

30000+:¥0.332

6000+:¥0.3379

3000+:¥0.3496

27000

24+
3-4工作日
BSS308PEH6327XTSA1
INFINEON
3000,SOT-23

3000+:¥0.4444

300+:¥0.4844

100+:¥0.5289

30+:¥0.5822

10+:¥0.7067

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51

22+
1工作日
BSS308PEH6327XTSA1
Infineon Technologies/IR
3000,SOT-23

6000+:¥0.4536

120000

25+
7-12工作日
BSS308PEH6327XTSA1
Infineon Technologies/IR
3000,SOT-23

300+:¥0.8625

180+:¥0.944

60+:¥1.044

181839

-
14-18工作日

价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 2A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 80 毫欧 @ 2A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2V @ 11µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 5 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 500 pF @ 15 V
功率耗散(最大值) 500mW(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3