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HSH100P06
HUASHUO(华朔)
TO-263
场效应管(MOSFET)
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：100A，导通电阻(RDS(on))：5.5mΩ@10V,20A
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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交期
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渠道
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HSH100P06
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HUASHUO(华朔)
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TO-263
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800+:￥3.44 500+:￥3.58 100+:￥4.03 30+:￥4.7 10+:￥5.29 1+:￥6.37 |
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立创商城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
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| 数量 | 1个P沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 连续漏极电流(Id) | 100A |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.5mΩ@10V,20A |