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SI7884BDP-T1-GE3
JSMSEMI(杰盛微)
DFN5060-8L
场效应管(MOSFET)
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：40V，连续漏极电流(Id)：90A，导通电阻(RDS(on))：5.5mΩ@10V,20A
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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渠道
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SI7884BDP-T1-GE3-JSM
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JSMSEMI(杰盛微)
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DFN5060-8L
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1000+:￥1.8525 500+:￥1.9665 100+:￥2.128 30+:￥2.4795 10+:￥2.8405 1+:￥3.553 |
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立创商城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
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| 数量 | 1个N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 40V |
| 连续漏极电流(Id) | 90A |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.5mΩ@10V,20A |