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SI2347DS-T1-GE3-VB
VBsemi(微碧)
SOT-23(TO-236)
场效应管(MOSFET)
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：5.6A，导通电阻(RDS(on))：46mΩ@10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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SI2347DS-T1-GE3-VB
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VBsemi(微碧半导体)
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SOT-23(TO-236)
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500+:￥0.3014 150+:￥0.3064 50+:￥0.3113 5+:￥0.3186 |
600 |
-
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立即发货
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立创商城
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SI2347DS-T1-GE3-VB
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VBsemi/微碧半导体
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SOT-3
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500+:￥0.2895 150+:￥0.2944 50+:￥0.3026 5+:￥0.3115 |
500 |
25+
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1工作日
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云汉芯城
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SI2347DS-T1-GE3-VB
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VBsemi/微碧半导体
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SOT-3
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3000+:￥0.2915 500+:￥0.3041 300+:￥0.3168 10+:￥0.3421 |
400000 |
25+
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3-4工作日
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云汉芯城
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SI2347DS-T1-GE3-VB
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VBsemi/微碧半导体
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SOT-3
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3000+:￥0.2915 500+:￥0.3041 300+:￥0.3168 80+:￥0.3421 |
400000 |
25+
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4-6工作日
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云汉芯城
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SI2347DS-T1-GE3-VB
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微碧半导体(VBsemi)
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SOT-23
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30000+:￥0.2915 6000+:￥0.3146 3000+:￥0.3312 800+:￥0.4637 100+:￥0.6624 20+:￥1.0267 |
0 |
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油柑网
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
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| 数量 | 1个P沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 连续漏极电流(Id) | 5.6A |
| 导通电阻(RDS(on)) | 46mΩ@10V |