2SK3019
BORN(伯恩半导体)
SOT-523
¥0.0566
38,637
场效应管(MOSFET)
数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):30V,连续漏极电流(Id):100mA,导通电阻(RDS(on)):8Ω@4V;13Ω@2.5V
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2SK3019
BORN(伯恩半导体)
SOT-523

3000+:¥0.0566

1+:¥0.0714

6280

2年内
立即发货
2SK3019
BORN(伯恩)
SOT-523

3000+:¥0.05886

1+:¥0.07426

6277

2年内
1-2工作日发货
2SK3019
BORN(伯恩半导体)
SOT-523

21000+:¥0.065

9000+:¥0.0695

3000+:¥0.0778

600+:¥0.0927

200+:¥0.1101

20+:¥0.1414

19800

-
立即发货
2SK3019
BORN(伯恩)

3000+:¥0.0849

1500+:¥0.1071

300+:¥0.171

6280

-
3天-15天
2SK3019
BORN(伯恩半导体)
SOT-523

60000+:¥0.0625

45000+:¥0.0632

3000+:¥0.0634

1500+:¥0.08

200+:¥0.1277

1+:¥0.383

6280

25+
2-5工作日
2SK3019
BORN/深圳伯恩半导体
SOT-523

21000+:¥0.065

9000+:¥0.068

3000+:¥0.075

600+:¥0.081

200+:¥0.092

20+:¥0.119

6867

2446+
1工作日
2SK3019
BORN/深圳伯恩半导体
SOT-523

9000+:¥0.0667

6000+:¥0.0684

3000+:¥0.0696

3000000

25+
5-10工作日
2SK3019
伯恩半导体(BORN)
SOT-523

30000+:¥0.0873

6000+:¥0.0942

3000+:¥0.0992

800+:¥0.1389

100+:¥0.1984

20+:¥0.3075

0

-

价格趋势
规格参数
属性 属性值
数量 1个N沟道
漏源电压(Vdss) 30V
连续漏极电流(Id) 100mA
导通电阻(RDS(on)) 8Ω@4V;13Ω@2.5V